今年5月，阿卜杜拉國(guó)王科(kē)學(xué)技术大學(xué)(KAUST)宣布开发出一款新(xīn)型InGaN基红光Micro LED芯片，外量子效率(EQE)有(yǒu)所提升，对实现基于单一半导體(tǐ)材料的全彩化Micro LED显示器有(yǒu)重要的推动作用(yòng)。在此基础上，KAUST近期又(yòu)取得了新(xīn)的突破。

　　据外媒报道，KAUST开发了可(kě)在整个可(kě)见光光谱范围内高效发光的Micro LED(μLEDs)芯片，实现Micro LED的全彩化。目前，KAUST团队的相关论文(wén)已发表在《光子學(xué)研究》(Photonics Research)期刊上。

　　据介绍，氮合金是一种半导體(tǐ)材料，通过正确的化學(xué)混合，能(néng)够发出RGB三种颜色的光，有(yǒu)助于Micro LED实现RGB全彩化显示。然而，当氮化物(wù)芯片的尺寸缩小(xiǎo)至微米级时，发光效率也会随着变弱。

　　KAUST研究团队对此作出详细的解释：缩小(xiǎo)芯片尺寸面临的主要障碍是在生产过程中LED结构的侧壁会被损坏，而缺陷的产生则会导致漏電(diàn)，进而影响芯片发光。并且，随着尺寸的微缩，这种现象会更加明显，因此LED芯片尺寸局限在400μm×400μm。

　　不过，KAUST团队在这个难题上实现了突破，开发出高亮度InGaN红光Micro LED芯片，尺寸為(wèi)17μm×17μm。

图片来源：KAUST

　　据悉，研究团队采用(yòng)完全校准的原子沉积技术研发出10×10的红光Micro LED阵列，并通过化學(xué)处理(lǐ)消除了对LED芯片结构侧壁的损伤。通过原子级观察(需要专业工具及样品准备)，研究团队确认，侧壁在经过化學(xué)处理(lǐ)后具备高结晶性。

　　根据研究团队观察，芯片表面每2平方毫米區(qū)域的输出功率高达1.76mW，而以往的产品每2平方毫米區(qū)域的输出功率仅1mW，相比之下，新(xīn)产品的输出功率显著提升，意味着外量子发光效率明显提升。随后，研究团队将红光Micro LED芯片与InGaN蓝绿光Micro LED芯片结合，以制造出广色域Micro LED器件 。

　　KAUST认為(wèi)，凭借高亮度、快速响应速度、广色域、能(néng)耗低等优点，InGaN Micro LED将是下一代Micro LED头戴式监视器、移动手机、電(diàn)视等设备的理(lǐ)想方案。下一步，KAUST团队将进一步提升Micro LED的效率，并将尺寸缩小(xiǎo)至10μm以下。